等離子去膠機適用于硅基半導體及化合物半導體前后道的等離子體去膠設備，可用于光刻膠灰化/殘膠去除和表面處理，設計緊湊占地面積小，設備穩定可靠、易于維護、產能高。
 

　　等離子去膠機使用的影響因素：
 

　　(1)調整合適的頻率：頻率越高，氧氣越容易電離形成等離子體。如果頻率太高，使得電子的振幅比其平均自由程短，則電子與氣體分子碰撞的概率會降低，電離率也會降低。常用頻率為13.56MHz和2.45GHz。
 

　　(2)調整合適的功率：對于一定量的氣體，功率大，等離子體中活性顆粒的密度也大，脫膠速度也快；然而，當功率增加到一定值時，反應所消耗的活性離子將達到飽和，如果功率更大，脫膠速度將不會顯著提高。由于功率大，基板溫度高，應根據技術要求調整功率。
 

　　(3)調整適當的真空度：適當的真空程度可以使電子運動的平均自由程更大，因此從電場獲得的能量更大，這有利于電離。此外，當氧氣流量必須恒定時，真空度越高，氧氣的相對份額越大，活性顆粒的濃度越大。然而，如果真空過高，活性顆粒的濃度將降低。
 

　　(4)氧氣流量調節：氧氣流量大，活性顆粒密度高，脫膠速度加快；然而，如果流速過大，離子的復合概率會增加，電子運動的平均自由程會縮短，電離強度會降低。如果反應室的壓力保持不變且流速增加，則也會添加提取氣體的量，并且也會添加未參與反應的活性顆粒的量，因此流量添加對脫膠速率的影響不會顯著。